当前位置：首页 > 今日资讯 > 正文

三星在美国设立实验室，开发新一代3D DRAM

　　据业内人士称，全球最大存储芯片制造商三星电子公司在美国新设了一个研究实验室，以开发新一代3D DRAM。

　　该实验室隶属于总部位于美国硅谷、负责三星在美国半导体生产的DeviC++e Solutions America （DSA），将致力于开发升级的DRAM模型，使三星能够引领全球3D存储芯片市场。

三星在美国设立实验室，开发新一代3D DRAM
（图片来源网络，侵删）

　　去年10月，三星电子透露，其正在为10纳米以下的DRAM准备新的3D结构，允许更大的单芯片容量，可以超过100千兆位。

　　三星电子于2013年在业界首次成功实现了3D垂直NAND闪存的商用化。

三星在美国设立实验室，开发新一代3D DRAM
（图片来源网络，侵删）
三星在美国设立实验室，开发新一代3D DRAM
（图片来源网络，侵删）
来源
[免责声明]本文来源于网络，不代表本站立场，如转载内容涉及版权等问题，请联系邮箱:83115484@qq.com，我们会予以删除相关文章，保证您的权利。
转载请注明出处：http://www.abagam.com/post/69248.html

上一篇
缺水木宝宝起名字(缺水木宝宝起名字大全)

下一篇
高密给宝宝起名字（高密明宝孕婴店电话）

相关文章

最新文章